Nature.com сайтына кергәнегез өчен рәхмәт.Сез кулланган браузер версиясенең CSS ярдәме чикләнгән.Иң яхшы тәҗрибә өчен без яңартылган браузерны кулланырга киңәш итәбез (яки Internet Explorer'та туры килү режимын сүндерегез).Шул ук вакытта, дәвамлы ярдәмне тәэмин итү өчен, без сайтны стильләр һәм JavaScriptсыз күрсәтәчәкбез.
4H-SiC электр ярымүткәргеч җайланмалары өчен материал буларак коммерцияләштерелгән.Ләкин, 4H-SiC җайланмаларының озак вакытлы ышанычлылыгы аларның киң кулланылышына комачаулый, һәм 4H-SiC җайланмаларының иң ышанычлы проблемасы - биполяр деградация.Бу деградация 4H-SiC кристаллларында базаль яссылыкның күчерелүен бер Шокли туплау (1SSF) аркасында килеп чыга.Монда без 4H-SiC эпитаксиаль ваферларга протоннар куеп 1SSF киңәюен бастыру ысулын тәкъдим итәбез.Протон имплантациясе белән ваферларда эшләнгән PiN диодлары протон имплантациясез диодлар белән бер үк ток көчәнеш үзенчәлекләрен күрсәттеләр.Киресенчә, 1SSF киңәюе протон имплантацияләнгән PiN диодында эффектив рәвештә кысыла.Шулай итеп, протоннарны 4H-SiC эпитаксиаль ваферларга урнаштыру 4H-SiC электр ярымүткәргеч җайланмаларының биполяр деградациясен бастыру өчен эффектив ысул.Бу нәтиҗә 4H-SiC югары ышанычлы җайланмалар үсешенә ярдәм итә.
Кремний карбид (SiC) ярымүткәргеч материал буларак киң танылган, каты мохиттә эшли ала торган югары ешлыклы ярымүткәргеч җайланмалар өчен1.SiC политиплары бик күп, алар арасында 4H-SiC бик яхшы ярымүткәргеч җайланманың физик үзлекләренә ия, мәсәлән, югары электрон хәрәкәтчәнлеге һәм көчле өзелү электр кыры2.Диаметры 6 дюйм булган 4H-SiC ваферлары хәзерге вакытта коммерцияләштерелә һәм электр ярымүткәргеч җайланмаларын массакүләм җитештерү өчен кулланыла3.Электр машиналары һәм поездлар өчен тарту системалары 4H-SiC4.5 электр ярымүткәргеч җайланмалары ярдәмендә эшләнгән.Шулай да, 4H-SiC җайланмалары озак вакытлы ышанычлы проблемалардан интегәләр, мәсәлән, диэлектрик өзелү яки кыска схема ышанычлылыгы, аларның 6,7 иң ышанычлы проблемаларының берсе - биполяр деградация 2,8,9,10,11.Бу биполяр деградация 20 ел элек ачылган һәм SiC җайланмасы җитештерүдә күптән проблема булып тора.
Биполяр деградация 4H-SiC кристаллындагы бер Шокли стакан җитешсезлеге аркасында барлыкка килә, рекомбинация көчәйтелгән дислокация слайды (REDG) 12,13,14,15,16,17,18,19.Шуңа күрә, BPD киңәюе 1SSF белән кысылса, 4H-SiC электр җайланмалары биполяр деградациясез ясалырга мөмкин.BPD таралышын бастыру өчен берничә ысул турында хәбәр ителде, мәсәлән, BPD - Thread Edge Dislocation (TED) трансформациясе 20,21,22,23,24.Соңгы SiC эпитаксиаль ваферларда, BPD эпитаксиаль үсешнең башлангыч этабында BPDның TED конверсиясе аркасында эпитаксиаль катламда түгел, ә субстратта бар.Шуңа күрә, биполяр деградациянең калган проблемасы - BPD субстратында 25,26,27.Дрифт катламы һәм субстрат арасында "композицион ныгыту катламы" кертү 28, 29, 30, 31 субстратында BPD киңәюен басуның эффектив ысулы буларак тәкъдим ителде. Бу катлам электрон тишекле пар рекомбинациясен арттыра. эпитаксиаль катлам һәм SiC субстрат.Электрон тишекле парларның санын киметү REDGның субстраттагы BPD йөртү көчен киметә, шуңа күрә композит ныгыту катламы биполяр деградацияне баса ала.Әйтергә кирәк, катлам кертү вафер җитештерүдә өстәмә чыгымнар таләп итә, һәм катлам кертелмичә, электрон тишекле парлар санын киметү авыр, ташучы гомере белән генә.Шуңа күрә, җайланма җитештерү бәясе һәм уңыш арасындагы яхшырак баланска ирешү өчен, башка бастыру ысулларын эшләргә көчле ихтыяҗ бар.
BPD-ны 1SSF-га киңәйтү өлешчә дислокацияләр (ПД) хәрәкәтен таләп итә, ПД-ны кадаклау - биполяр деградацияне тыю өчен өметле ысул.Металл пычраклар белән ПД кадаклануы хәбәр ителсә дә, 4H-SiC субстратларында FPDлар эпитаксиаль катлам өслегеннән 5 ммнан артык ераклыкта урнашкан.Моннан тыш, SiC теләсә нинди металлның диффузия коэффициенты бик кечкенә булганлыктан, металл пычракларның субстратка таралуы кыен.Металлларның чагыштырмача зур атом массасы аркасында металлларны ион имплантациясе дә авыр.Киресенчә, водород булганда, иң җиңел элемент, ионнар (протоннар) 4H-SiCга 10 ммнан артык тирәнлектә MeV класслы тизләткеч ярдәмендә урнаштырылырга мөмкин.Шуңа күрә, протон имплантациясе ПД кадаклауга тәэсир итә икән, ул субстратта BPD таралышын басу өчен кулланылырга мөмкин.Ләкин, протон имплантациясе 4H-SiC-ны зарарларга һәм җайланманың эшләвен киметергә мөмкин37,38,39,40.
Протон имплантациясе аркасында җайланманың деградациясен җиңәр өчен, югары температуралы аннальинг зыянны төзәтү өчен кулланыла, аннальлау ысулына охшаган, җайланма эшкәртүдә аксессуар ион имплантациясеннән соң кулланыла1, 40, 41, 42. Икенчел ион масса спектрометриясе (SIMS) 43 булса да. югары температуралы аннальинг аркасында водород диффузиясе турында хәбәр иттеләр, SIMS ярдәмендә PR-ка кадакны ачыклау өчен, ФД янындагы водород атомнарының тыгызлыгы гына җитми.Шуңа күрә, бу тикшеренүдә без протоннарны 4H-SiC эпитаксиаль ваферга урнаштырдык, җайланма эшкәртү процессы алдыннан, шул исәптән югары температурада аннальинг.Без PiN диодларын эксперименталь җайланма структурасы итеп кулландык һәм протон имплантацияләнгән 4H-SiC эпитаксиаль ваферларда ясадык.Аннары протон инъекциясе аркасында җайланма эшенең бозылуын өйрәнү өчен вольт-ампер характеристикаларын күзәттек.Соңыннан, без PiN диодына электр көчәнешен кулланганнан соң, электролуминцензия (EL) рәсемнәрендә 1SSF киңәюен күзәттек.Ниһаять, без протон инъекциясенең 1SSF киңәюен басуга тәэсирен расладык.
Инҗирдә.1 нче рәсемдә ПИН диодларының агымдагы - көчәнеш характеристикалары (CVC) күрсәтелгән, импульсланган ток булганчы һәм протон имплантациясе булмаган төбәкләрдә бүлмә температурасында.Протон инъекциясе булган PiN диодлары протон инъекциясе булмаган диодларга охшаган ректификация үзенчәлекләрен күрсәтәләр, хәтта IV характеристикалар диодлар арасында уртак булса да.Инъекция шартлары арасындагы аерманы күрсәтү өчен, без көчәнеш ешлыгын алга ток тыгызлыгында 2,5 А / см2 (100 мА туры килә) статистик сюжет итеп урнаштырдык, 2 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә, гадәти тарату белән якынлашкан сызык шулай ук күрсәтелә нокталы сызык белән.сызык.Кәкреләрнең иң югары нокталарыннан күренгәнчә, 1014 һәм 1016 см-2 протон дозаларында каршылык бераз арта, шул ук вакытта 1012 см-2 протон дозасы булган PiN диоды протон имплантациясе булмаган охшаш якларны күрсәтә. .Без шулай ук PiN диодлары ясалганнан соң протон имплантациясен эшләдек, протон имплантациясе аркасында китерелгән зыян аркасында бердәм электролуминценцияне күрсәтмәде, алдагы тикшеренүләрдә күрсәтелгәнчә S1 рәсемендә күрсәтелгән37,38,39.Шуңа күрә, Аль-ионны имплантацияләгәннән соң 1600 ° C температурада аннальләштерү - Al кабул итүчесен активлаштыру өчен җайланмалар ясау өчен кирәкле процесс, ул протон имплантациясе аркасында китерелгән зыянны төзәтә ала, имплантацияләнгән һәм импланланмаган протон PiN диодлары арасында бер үк булган CVCларны .-5 V кире ток ешлыгы шулай ук S2 рәсемдә күрсәтелгән, протон инъекциясе белән һәм диодлар арасында зур аерма юк.
ПиН диодларының вольт-ампер характеристикалары, бүлмә температурасында протоннар белән.Легенда протоннарның дозасын күрсәтә.
ПиН диодлары өчен туры ток 2,5 А / см2 көчәнеш ешлыгы инъекцияләнгән һәм инъекцияләнмәгән протоннар белән.Нокта сызыгы гадәти бүленешкә туры килә.
Инҗирдә.3 көчәнештән соң хәзерге тыгызлыгы 25 A / см2 булган PiN диодының EL рәсемен күрсәтә.Пульслы ток йөген кулланганчы, диодның караңгы өлкәләре күзәтелмәгән, 3 нче рәсемдә күрсәтелгән.Ләкин, инҗирдә күрсәтелгәнчә.3а, протон имплантациясез PiN диодында, электр көчәнешен кулланганнан соң, җиңел кырлары булган берничә кара сызыклы төбәкләр күзәтелде.Мондый таяк формасындагы кара төбәкләр EL рәсемнәрендә 1SSF өчен күзәтелә, BPD субстратында 28,29.Моның урынына, PiN диодларында имплантацияләнгән протоннар белән кайбер киңәйтелгән туплау җитешсезлекләре күзәтелде, 3б - d рәсемендә күрсәтелгәнчә.Рентген топографиясен кулланып, без ПП диодындагы контактлар перифериясендә BPD-тан субстратка протон инъекциясесез күчә ала торган PR-ларның булуын расладык (4 нче рәсем: өске электродны чыгармыйча бу рәсем (фотога төшерелгән, PR) Электродлар күренми) Шуңа күрә, EL рәсемендәге караңгы мәйдан субстраттагы киңәйтелгән 1SSF BPD белән туры килә. Башка йөкләнгән PiN диодларының EL рәсемнәре 1 һәм 2 нче рәсемнәрдә күрсәтелгән, S3-S6 видеолары һәм озайтылмыйча. Караңгы өлкәләр (протон инъекциясе булмаган һәм 1014 см-2 имплантацияләнгән PiN диодларының вакыт үзгәрүчән EL рәсемнәре) өстәмә мәгълүматта күрсәтелгән.
PiN диодларының EL рәсемнәре 2 сәгать электр стрессыннан соң (а) протон имплантациясез һәм имплантацияләнгән дозалар белән (б) 1012 см-2, (в) 1014 см-2 һәм г) 1016 см-2 протоннар.
5-нче рәсемдә күрсәтелгәнчә, киңәйтелгән 1SSF тыгызлыгын һәр шарт өчен өч PiN диодында караңгы кырларны исәпләп исәпләдек, киңәйтелгән 1SSF тыгызлыгы протон дозасы арту белән кими, хәтта 1012 см-2 дозасында да, киңәйтелгән 1SSF тыгызлыгы имплантацияләнмәгән PiN диодына караганда сизелерлек түбән.
SF PiN диодларының тыгызлыгын арттыру, импульслы ток белән йөкләнгәннән соң (һәр дәүләт өч йөкләнгән диодны үз эченә ала).
Операторның гомерен кыскарту шулай ук киңәйтүне кысуга тәэсир итә, һәм протон инъекциясе йөртүченең гомерен 32,36 киметә.Без 1014 см-2 инъекцияләнгән протоннар белән 60 мм калынлыктагы эпитаксиаль катламда йөртүченең гомерен күзәттек.Башлангыч ташучы гомереннән, имплант кыйммәтне ~ 10% ка киметсә дә, аннан соң аннальинг аны ~ 50% ка торгыза, S7 рәсемендә күрсәтелгәнчә.Шуңа күрә, протон имплантациясе аркасында киметелгән ташучының гомере югары температуралы аннальинг белән торгызыла.Оператор тормышының 50% кимүе шулай ук туплау җитешсезлекләрен таратуны басса да, I - V характеристикалары, гадәттә, йөртүче тормышына бәйле, инъекцияләнгән һәм имплантацияләнмәгән диодлар арасында кечкенә аермаларны күрсәтәләр.Шуңа күрә, без PD анкоры 1SSF киңәюен тыюда роль уйный дип саныйбыз.
SIMS 1600 ° C температурада аннальланганнан соң водородны тапмаса да, алдагы тикшеренүләрдә хәбәр ителгәнчә, без протон имплантациясенең 1SSF киңәюен басуга тәэсирен күзәттек, 1 һәм 4. Рәсемнәрдә күрсәтелгәнчә, 3, 4. Шуңа күрә без ышанабыз ПД водород атомнары белән тыгызланган, тыгызлыгы SIMS (2 × 1016 см-3) яки имплантация аркасында килеп чыккан кимчелекләр.Әйтергә кирәк, без 1SSF озынлыгы аркасында дәүләт каршылыгының артуын расламадык.Бу якын киләчәктә бетереләчәк безнең процесс ярдәмендә ясалган камил булмаган охмик контактлар аркасында булырга мөмкин.
Ахырда, без BPD-ны 4S-SiC PiN диодларында BPD-ны 1SSF-га киңәйтү өчен сүндерү ысулын эшләдек, прибор имплантациясе ярдәмендә прибор имплантациясен кулланып.Протон имплантациясе вакытында I - V характеристикасының начарлануы бик аз, аеруча 1012 см - 2 протон дозасында, ләкин 1SSF киңәюен бастыру эффекты зур.Бу тикшеренүдә без 10 мм тирәнлектә протон имплантациясе белән 10 мм калынлыктагы PiN диодлары уйлап чыгарсак та, имплантация шартларын тагын да оптимальләштерергә һәм аларны 4H-SiC башка төр җайланмалар ясау өчен кулланырга мөмкин.Протон имплантациясе вакытында җайланма ясау өчен өстәмә чыгымнар каралырга тиеш, ләкин алар 4H-SiC электр җайланмалары өчен төп эшкәртү процессы булган алюминий ион имплантациясе чыгымнарына охшаш булачак.Шулай итеп, җайланма эшкәртелгәнче протон имплантациясе 4H-SiC биполяр электр җайланмаларын дегерациясез ясау өчен потенциаль ысул.
4 дюймлы n-типтагы 4H-SiC вафер, эпитаксиаль катлам калынлыгы 10 мм һәм донор допинг концентрациясе 1 × 1016 см - 3 үрнәк итеп кулланылды.Deviceайланманы эшкәрткәнче, H + ионнары тизлек энергиясе белән 0,95 МеВ бүлмә температурасында 10 мм тирәнлектә тәлинкә өслегенә нормаль почмакта урнаштырылды.Протон имплантациясе вакытында тәлинкәдә маска кулланылды, һәм тәлинкәдә 1012, 1014 яки 1016 см-2 протон дозасы булмаган һәм бүлекчәләре бар иде.Аннары, 1020 һәм 1017 см - 3 протон дозалары булган Аль ионнары бөтен вафат өстенә 0–0.2 мм һәм өслектән 0,2–0,5 мм тирәнлеккә урнаштырылды, аннары 1600 ° C температурада углерод капкасы формалаштырылды. ap катламы.- тип.Соңыннан, арткы ягы Ni контакт субстрат ягына урнаштырылды, ә 2,0 мм × 2,0 мм тарак формасындагы Ti / Al алгы ягы контакт фотолитография һәм кабык процессы эпитаксиаль катлам ягына урнаштырылды.Ниһаять, контактны яндыру 700 ° C температурада үткәрелә.Вафинны чипларга кискәч, без стресска характеристика һәм кулландык.
ПиН диодларының I - V характеристикалары HP4155B ярымүткәргеч параметр анализаторы ярдәмендә күзәтелде.Электр стрессы буларак, 10 миллисекунд импульслы ток 212,5 А / см2 2 импульс / сек ешлыгында 2 сәгать эчендә кертелде.Түбән ток тыгызлыгын яки ешлыгын сайлаганда, без 1SSF киңәюен хәтта PiN диодында да протон инъекциясеннән башка күзәтмәдек.Кулланылган электр көчәнеше вакытында, PiN диодының температурасы 70 ° C тирәсе, белә торып җылытмыйча, С8 рәсемдә күрсәтелгәнчә.Электролуминсент рәсемнәр 25 A / см2 тыгызлыктагы электр стрессына кадәр һәм аннан соң алынган.Синхротрон чагылдыру көтү очраклары Рентген топографиясе Айчи синхротрон нурланыш үзәгендә монохромат рентген нуры (λ = 0,15 нм) кулланып, BL8S2 аг векторы -1-128 яки 11-28 (детальләр өчен 44 нче кара). .).
Алга ток тыгызлыгында 2,5 А / см2 көчәнеш ешлыгы инҗирдә 0,5 В интервалы белән чыгарыла.2 PiN диодының һәр халәтенең CVC буенча.Стрессның уртача кыйммәтеннән һәм стрессның стандарт тайпылышыннан без түбәндәге тигезләмәне кулланып 2 нче рәсемдә нокта сызыгы формасында нормаль тарату сызыгын ясыйбыз:
Вернер, М.Р. Вернер, М.Р.Вернер, М.Р. Вернер, М.Р. & Фахрнер, WR WR 用于 高温。。。。。 Вернер, М.Р.Вернер, МР һәм Фарнер, WR highгары температурада һәм катлаулы шартларда куллану өчен материалларга, микросенсорларга, системаларга һәм җайланмаларга күзәтү.IEEE Транс.Индустриаль электроника.48, 249-257 (2001).
Кимото, Т. Кимото, Т.Кимото, Т. Кимото, Т. & Купер, JA JA 技术 基础。。。。 Кимото, Т. & Купер, ЯА Карбон 化 кремний технология базасы Карбон 化 кремний технология базасы: үсеш, тасвирлау, җиһазлар һәм куллану күләме.Кимото, Т. һәм Купер, Дж.252 (Wiley Singapore Pte Ltd, 2014).
Veliadis, V. SiC зур масштаблы коммерцияләштерү: Статус-кво һәм җиңү өчен киртәләр.алма матер.фән.Форум 1062, 125-130 (2022).
Бругтон, Дж., Смет, В., Туммала, РР & Джоши, Й.К. Бругтон, Дж., Смет, В., Туммала, РР & Джоши, Й.К.Бругтон, Дж., Смет, В., Туммала, РР һәм Джоши, Й.К. Тарту максатларында автомобиль энергиясе электроникасы өчен җылылык төрү технологияләренә күзәтү. Бругтон, Дж., Смет, В., Туммала, РР & Джоши, ЙК 用于 牵引 的 汽车。。。。 Бругтон, Дж., Смет, В., Туммала, РР & Джоши, Й.К.Бругтон, Дж., Смет, В., Туммала, Р.Р. һәм Джоши, Й.К. Тарту максатларында автомобиль энергиясе электроникасы өчен җылылык төрү технологиясенә күзәтү.Дж. Электрон.Пакет.транс.ASME 140, 1-11 (2018).
Сато, К., Като, Х. & Фукусима, Т. SiC киләсе буын Шинкансен югары тизлекле поездлар өчен тарту системасын үстерү. Сато, К., Като, Х. & Фукусима, Т. SiC киләсе буын Шинкансен югары тизлекле поездлар өчен тарту системасын үстерү.Сато К., Като Х. һәм Фукусима Т. Киләсе буын югары тизлекле Шинкансен поездлары өчен кулланылган SiC тарту системасын үстерү.Сато К., Като Х. һәм Фукусима Т. Киләсе буын югары тизлекле Шинкансен поездлары өчен SiC кушымталары өчен тарту системасын үстерү.Кушымта IEEJ J. 9, 453–459 (2020).
Сензаки, Дж., Хаяши, С., Йонезава, Й. Сензаки, Дж., Хаяши, С., Йонезава, Й.Сензаки, Дж., Хаяши, С., Йонезава, Й. Сензаки, Дж., Хаяши, С., Йонезава, Y. & Окумура, Х. 实现 高 可靠性 SiC 功率 器件 从 从 SiC Сензаки, Дж., Хаяши, С., Йонезава, Y. & Окумура, Х. SiC электр җайланмаларында югары ышанычлылыкка ирешү проблемасы: SiC from 的 电视 电视 和Сензаки Дж, Хаяши С, Йонезава Й.Ышанычлы физика буенча IEEE халыкара симпозиумында (IRPS).(Сензаки, Дж. Һ.б. ред.) 3B.3-1-3B.3-6 (IEEE, 2018).
Ким, Д. Ким, Д.Ким, Д. Ким, Д. & Сунг, В. Ким, Д. & Сунг, В. П 阱 了 k 1,2kV 4H-SiC MOSFETКим, Д.IEEE Электрон җайланмалар Lett.42, 1822-1825 (2021).
Сковронски М. һ.б.4H-SiC pn диодларында рекомбинациянең көчәйтелгән хәрәкәте.J. заявка.физика.92, 4699–4704 (2002).
Ха, С., Миешковски, П., Сковронски, М. Ха, С., Миешковски, П., Сковронски, М.Ха С., Мецковски П, Сковронски М. һәм Роуланд Л.Б 4H кремний карбид эпитаксы вакытында Дислокация трансформациясе. Ha, S., Mieszkowski, P., Skowronski, M. & Rowland, LB 4H 碳化硅 外延 中 的 位。。。 Ха, С., Миешковски, П., Сковронски, М. & Роуланд, LB 4H Ха, С., Мецковски, П., Сковронски, М. & Роуланд, Л.Б.Кремний карбид эпитаксында 4H күчерү.Дж. Кристал.4сеш 244, 257-266 (2002).
Сковронски, М. & Ха, С. Алты почмаклы кремний-карбид нигезендәге биполяр җайланмаларның деградациясе. Сковронски, М. & Ха, С. Алты почмаклы кремний-карбид нигезендәге биполяр җайланмаларның деградациясе.Сковронски М. һәм Ха С. Кремний карбидына нигезләнгән алты почмаклы биполяр җайланмаларның деградациясе. Сковронски, М. & Ха, С. 六方 碳化硅 基 双极 的。。 Сковронски М. & Ха С.Сковронски М. һәм Ха С. Кремний карбидына нигезләнгән алты почмаклы биполяр җайланмаларның деградациясе.J. заявка.физика 99, 011101 (2006).
Агарвал, А., Фатима, Х., Хани, С. & Рю, С.Х. Агарвал, А., Фатима, Х., Хани, С. & Рю, С.Х.Агарвал А., Фатима Х., Хейни С. һәм Рю С.Х. Агарвал, А., Фатима, Х., Хани, С. & Рю, С.Х. Агарвал, А., Фатима, Х., Хани, С. & Рю, С.Х.Агарвал А., Фатима Х., Хейни С. һәм Рю С.Х.Highгары көчәнешле SiC көче MOSFETлар өчен яңа деградация механизмы.IEEE Электрон җайланмалар Lett.28, 587–589 (2007).
Колдуэлл, Дж., Сталбуш, RE, Анкона, МГ, Глембокки, О. Колдуэлл, Дж., Сталбуш, RE, Анкона, МГ, Глембокки, О.Колдуэлл, Дж., Сталбуш, RE, Анкона, МГ, Глембоки, О. Колдуэлл, Дж. Колдуэлл, Дж., Сталбуш, RE, Анкона, М.Г., Глембокки, О.Колдуэлл, Дж., Сталбуш, RE, Анкона, МГ, Глембоки, О.J. заявка.физика.108, 044503 (2010).
Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC кристаллларында бер Шокли туплау өчен электрон энергия моделе. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC кристаллларында бер Шокли туплау өчен электрон энергия моделе.Iijima, A. and Kimoto, T. 4H-SiC кристаллларында Шокли төрүнең бер җитешсезлекләрен формалаштыруның электрон-энергия моделе. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC 晶体 中 单 Шокли 堆垛 层 错 形成。。。。 Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC кристаллында бер шокли туплауның электрон энергия моделе.Iijima, A. and Kimoto, T. 4H-SiC кристаллларында Шокли төрү җитешсезлеген формалаштыруның электрон-энергия моделе.J. заявка.физика 126, 105703 (2019).
Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC PiN диодларында бер Шокли туплау җитешсезлекләрен киңәйтү / кысу өчен критик шартны бәяләү. Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC PiN диодларында бер Шокли туплау җитешсезлекләрен киңәйтү / кысу өчен критик шартны бәяләү.Iijima, A. and Kimoto, T. 4H-SiC PiN-диодларда бер Шокли төрү җитешсезлекләрен киңәйтү / кысу өчен критик халәтне бәяләү. Iijima, A. & Kimoto, T. 估计 4H-SiC PiN 二极管 中 单个 Шокли 堆垛 层 错 膨胀 / 收缩 的 临界。。 Iijima, A. & Kimoto, T. 4H-SiC PiN диодларында бер Шокли катлам катламын киңәйтү / кысу шартларын бәяләү.Иижима, А. һәм Кимото, Т.кушымта физикасы Райт.116, 092105 (2020).
Маннен, Y .., Шимада, К., Асада, К. & Охтани, Н. Маннен, Y .., Шимада, К., Асада, К. & Охтани, Н.Маннен Y .., Шимада К., Асада К., һәм Отани Н.Маннен Y .., Шимада К., Асада К.J. заявка.физика.125, 085705 (2019).
Галекас, А., Линнрос, Дж. & Пируз, П. Галекас, А., Линнрос, Дж. & Пируз, П.Галекас, А., Линнрос, Дж. Һәм Пируз, П. Галекас, А., Линнрос, Дж. & Пируз, П. 复合 诱导 六方 六方 六方 SiC 中 一般 机制 的 Галекас, А., Линнрос, Дж. & Пируз, П. Композит индукция стакинг катламының гомуми механизмына дәлил: 六方 SiC.Галекас, А., Линнрос, Дж. Һәм Пируз, П.физика Пастор Райт.96, 025502 (2006).
Ишикава, Y .., Судо, М., Яо, Й.З., Сугавара, Й. & Като, М. нур нурлары.Ишикава, Y .., М. Судо, Y.-Z нур нурлары.Ишикава, Y .., Судо М., Y.-Z психологиясе.Рамка, Ю., М.Кио, Y.-Z Хим., Дж. Хем., 123, 225101 (2018).
Като, М., Катахира, С., Ичикава, Y .., Харада, С. & Кимото, Т. Като, М., Катахира, С., Ичикава, Y .., Харада, С. & Кимото, Т.Като М., Катахира С., Итикава Y., Харада С. һәм Кимото Т. Като, М., Катахира, С., Ичикава, Y .., Харада, С. & Кимото, Т. 单 Шоккли Като, М., Катахира, С., Ичикава, Y .., Харада, С. & Кимото, Т.Като М., Катахира С., Итикава Y., Харада С. һәм Кимото Т.J. заявка.физика 124, 095702 (2018).
Кимото, Т. & Ватанабе, Х. volгары көчәнешле электр җайланмалары өчен SiC технологиясендә җитешсез инженерлык. Кимото, Т. & Ватанабе, Х. volгары көчәнешле электр җайланмалары өчен SiC технологиясендә җитешсез инженерлык.Кимото, Т. һәм Ватанабе, Х. volгары көчәнешле электр җайланмалары өчен SiC технологиясендә җитешсезлекләр үсеше. Кимото, Т. & Ватанабе, Х. 用于 高压 的 C SiC 技术 中 的 缺陷。。 Кимото, Т. & Ватанабе, Х. volгары көчәнешле электр җайланмалары өчен SiC технологиясендә җитешсез инженерлык.Кимото, Т. һәм Ватанабе, Х. volгары көчәнешле электр җайланмалары өчен SiC технологиясендә җитешсезлекләр үсеше.кушымта физикасы Экспресс 13, 120101 (2020).
Чжан, З. & Сударшан, ТС Базаль самолет кремний карбидының эпитаксы. Чжан, З. & Сударшан, ТС Базаль самолет кремний карбидының эпитаксы.Чжан З. һәм Сударшан ТС базаль яссылыкта кремний карбидының дислокациясез эпитаксы. Чжан, З. & Сударшан, ТС 碳化硅 基 面 无 错。。 Чжан, З. & Сударшан, Т.С.Чжан З. һәм Сударшан ТС Кремний карбид базаль самолетларының дислокациясез эпитаксы.белдерү.физика.Райт.87, 151913 (2005).
Чжан, З., Мултон, Э. & Сударшан, Т.С. Чжан, З., Мултон, Э. & Сударшан, Т.С.Чжан З., Мултон Э. һәм Сударшан Т.С. Чжан, З., Мултон, Э. & Сударшан, TS 通过 在 蚀刻 C C SiC 薄膜 中 Чжан, З., Мултон, Э. & Сударшан, ТС субстратны эчеп SiC нечкә пленкасын бетерү механизмы.Чжан З., Мултон Э.кушымта физикасы Райт.89, 081910 (2006).
Шталбуш RE һәм башкалар.Hсеш өзелүе 4H-SiC эпитакси вакытында базаль яссылыкның кимүенә китерә.белдерү.физика.Райт.94, 041916 (2009).
Чжан, Х. Чжан, Х.Чжан, Х. Чжан, X. & uchучида, Х. 通过 H H 4H-SiC 外延 层 中 基 基。 Чжан, X. & uchучида, Х. 通过 高温 H H 4H-SiCЧжан, X. һәм uchучида, Х.J. заявка.физика.111, 123512 (2012).
Songыр, Х. & Сударшан, ТС Базаль самолетның эпилаксаль / субстрат интерфейсы янында 4H - SiC эпитаксиаль үсешендә конверсия. Songыр, Х. & Сударшан, ТС Базаль самолетның эпилаксаль / субстрат интерфейсы янында 4H - SiC эпитаксиаль үсешендә конверсия.Hыр, Х. һәм Сударшан, ТС 4H - SiC эпитаксиаль үсү вакытында эпитаксиаль катлам / субстрат интерфейс янында базаль яссылык дислокацияләрен үзгәртү. Songыр, Х. & Сударшан, TS 在 4 ° 离轴 4H-SiC 外延 生长 中 层 / 衬底 界面 附近。。。。。 Songыр, Х. & Сударшан, TS 在 4 ° 离轴 4H-SiC Songыр, Х. & Сударшан, Т.С.4H-SiC эпитаксиаль үсү вакытында эпитаксиаль катлам / субстрат чикләре янындагы субстратның планар дислокация күчүе.Дж. Кристал.1сеш 371, 94-101 (2013).
Кониши, К. һ.б.Currentгары токта, 4H-SiC эпитаксиаль катламнарда базаль яссылыкның дислокация стенасы таралуы филамент кыры дислокациясенә әверелә.J. заявка.физика.114, 014504 (2013).
Кониши, К. һ.б.Оператив рентген топографик анализда биполяр деградацияләнмәгән SiC MOSFETлар өчен эпитаксиаль катламнарны проектлагыз.AIP Advanced 12, 035310 (2022).
Лин, С. һ.б.4H-SiC пин диодларының алга агымдагы бозылуы вакытында базаль яссылыкның урнашу структурасының бер Шокли тибындагы стенировкалау таралышына йогынтысы.Япония.J. заявка.физика.57, 04FR07 (2018).
Тахара, Т., һ.б.Азотка бай 4H-SiC эпилаерларында кыска азчылык йөртүче гомере PiN диодларында тупланган кимчелекләрне басу өчен кулланыла.J. заявка.физика.120, 115101 (2016).
Тахара, Т. һ.б.4H-SiC PiN диодларында бердәнбер Шокли стакингының ватылу концентрациясенә бәйле.J. заявка.Физика 123, 025707 (2018).
Мэ, С., Тавара, Т., Tsучида, Х. & Като, М. Мэ, С., Тавара, Т., Tsучида, Х. & Като, М.Мей, С., Тавара, Т., uchучида, Х. һәм Като, М.С. Mae, S. 、 Tawara, T. su uchучида, Х. & Като, М. Mae, S. 、 Tawara, T. su uchучида, Х. & Като, М.Мей С., Тавара Т., uchучида Х. һәм Като М.алма фәннәре форумы 924, 269–272 (2018).
Хираяма, Т. һ.б.Калын 4H-SiC эпитаксиаль катламнарда йөртүче гомеренең тирән бүленеше, ирекле ташучының үзләштерү вакытын һәм яктылыкны кичерү вакытын кулланып, җимергеч булмаган үлчәнде.Фәнгә күчү.метр.91, 123902 (2020).
Пост вакыты: 06-2022 ноябрь