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4h-SIC ua fai pisinisi e pei o se mea mo le mana faʻamalosiina masini. Peitaʻi, o le maoaʻe umi o le 4h-siva masini o se faʻafitauli i lo latou faʻaaogaina lautele, ma le sili ona taua le faʻatuatuaina o le 4h-Sc masini o le bipotar. O lenei faʻamalologa e mafua mai i le tasi showley Stacking Skings (1ssf) Faʻatulagaina o Ball Plul Place o loʻo i ai i le 4h-Scra-Scra-Scrac-Scrac-Stic Crystals. Lenei, matou te faʻatonu se metotia mo le taofia o le 1ssf faalauteleina e ala i le faʻaaogaina o protons i luga o le 4h-sic epitaxial wafers. PINDS diodes oso i luga o le 'au ma proton i luga o le proton o loʻo faʻaalia ai le tutusa masani-faʻailoga uiga o ni diodes e aunoa ma protonive. I le faʻatusatusaina, o le 1ssf faʻalauteleina ua faʻamalosia lelei i le proton-oxplated PIN DIODE. O le mea lea, o le saoasaoa o proton i totonu o le 4h-sic epitaxial waffes o se metotia lelei mo le taofia o le bipolar degradactactor degraduictictor masini. O le mafuaʻaga lea e fesoasoani i le atinaʻeina o le sili ona faʻatuatuaina 4h-SIC masini.
O le Simiko Courber (SIC) o loʻo faʻamauina lautele o se semponductor mea mo le maualuga-malosi, maualuga-masani o le faʻamalosi tino e mafai ona faʻagaioia i le siosiomaga o le siʻosiʻomaga1. E tele SIC Plytypes, i totonu o le 4h-sic e sili ona lelei semicounductor masini tino e pei o le maualuga eletise eletise ma malosi eletise eletise. 4h-SIC WIFERS MA LE MALO O LE 6 INDHS o loʻo i ai nei e faʻapisinisi ma faʻaaoga mo le tele o gaosiga o le mana faʻamalosi tino3. O faiga masani mo taʻavale eletise ma nofoaafi na faʻapipiʻiina e faʻaaoga ai le 4h-sic4.5 mana faʻamalosi tino. Ae ui i lea, o le 4h-SIC O loʻo tigaina pea i le faʻamoemoeina o mataupu, e pei o manulele e sili ona taua poʻo le le fiafia, 6,7 lea, O lenei faʻatiga o le bipolar na maua i luga o le 20 tausaga talu ai ma ua leva ona avea ma faʻafitauli i le sic devices ie.
O le Bipolar Demoradation e mafua mai i se tasi shockley Stack Demus (1ssf) i le 4h-Scrag Crystals Zopporation Exped Gyobage). O le mea lea, afai o le faʻalauteleina o le bpd e taofia i le 1ssf, 4h-sic mana eletise e mafai ona faʻapipiʻiina e aunoa ma bipolar degradation. E tele metotia na lipotia e taofia ai le BPD SPD, pei o le BPD i le filo pito i luga (TD)) suiga 20,21,22,22,2,21. I le fou SIC EPPATAXAL BUFERS, o le BPD e masani ona i ai i le mea e sili ona aoga ma e le o le epitaxal vaega ona o le liuaina o le bptaxial. O le mea lea, o le mea o totoe o le tulaga o le amorale o le alua o le BPD i le mea e tusa ai ma le 25,26,27. O le faʻaofiina o le "tuʻufaʻatasia faamalosia le vaega" i le va o le Drift Seater ma o le mea na fuafuaina e avea o se aoga aoga mo le faʻaaogaina o le epitax, 29, 31. Faʻaititia le numera o le electron-pu paga faʻaitiitia le avetaavale malosi o le regg i le BPD i le mea e tupu ai, ina ia mafai ai e le compiate faʻamalosi tino. E tatau ona lauiloa o le faʻaʻoleʻole o le vaega o loʻo aofia ai faʻaopopo tau i le gaosiga o 'eseʻese, ma e aunoa ma le faʻaofi o le fale eletise, e le faʻaititia ai le pule o le kaperoni. O le mea lea, o loʻo iai lava le manaʻoga malosi e atiaʻe isi metotia faʻatonutonu mo se paleni lelei i le va o le faʻatau masini gaosi ma le fua.
Aua o le faʻaopopoina o le BPD i le 1ssf manaʻomia le gaoioi o vaega o vaega o loʻo iai (PD), o le PD o se auala folafola o le bipolad. E ui lava o le PD Pinging e uamea le aʻafiaga ua lipotia, FPD i le 4h-SIC e suia ai i se mamao e sili atu nai lo le 5 μm mai luga o le epitaxal E le gata i lea, talu mai le eseʻesega o soʻo se uʻamea i sika e laititi, e faigata i faʻatiga uʻamea ua malepe i le vaega3. Ona o le tele o ato o fomai ma le tele o talosaga, e faigata foi i le itupa o togafiti. Ile faatusatusaina, i le tulaga o le hydrogen, o le sili ona mama elemene, e mafai ona faʻaoʻo i le 4h-sic-sic-sic i le loloto o le 1 μm faʻaaogaina. O le mea lea, afai o le Proton improntation e aʻafia ai le PD Prenings, lea e mafai ona faʻaoga e tuʻu ai le BPD SPD faʻataʻitaʻiga i le mea e suia ai. Ae ui i lea, proton implentation mafai ona faʻaleagaina ai le 4h-sac ma iʻu ai i le faʻaititia o le faʻatulagaina o le galuega37,38,39,40.
Ina ia manumalo i le faʻamalologa o tupe ona o le prototon i luga o le vevela, o le maualuga-vevela o le faʻaleleia o mea e mafai ai ona faʻaaogaina i le vevela-vevela. 43 e iloa ai le faʻailoga o le PR faʻaaoga sims. O lea la, i totonu o lenei suʻesuʻega, na matou faʻaaogaina faʻasalalauga i le 4h-sic epitaxal wafts aʻo leʻi maeʻa le masini faʻatino i luma o le faʻafitauli o le masini, e aofia ai le maualuga o le vevela o le tau. Sa matou faaaogaina le PIN DOODESS o faʻataʻitaʻiga masini fausaga ma oso i latou i luga o proton-o loʻo faʻaalia 4h-sic epitaxial wat. Na matou maitauina foi le le-Ampere uiga e suʻesuʻe ai le faʻamalologa o le faʻatulagaina o galuega ona o le proton tui. Mulimuli ane, matou te maitauina le faʻalauteleina o le 1ssf i le eletise o le eletise (el) o loʻo faʻaaogaina o se eletise eletise i le PIN Mulimuli ane, na matou faʻamaonia le taunuʻuga o le Proton tui i luga o le falepuipui o le 1ssf faalauteleina.
I le Ata Ata 1 o loʻo faʻaalia ai le taimi nei-voltage uiga (CVCS) o PIN DODODS i le potu vevela i itulagi i totonu ae leai se faʻataʻitaʻiga o loʻo iai muamua. Pin Diodis ma Proton Injection faʻaalia uiga e tutusa uiga e pei o diods e aunoa ma proton tui, e ui lava o le IV uiga o loʻo fefaʻasoaaʻi i le va o le Diodio. E faailoa ai le eseesega i le va o le tui puipuia, matou te faʻataʻitaʻia le voluged taimi masani i luma o le tumau o le 2.5 A / CM2 (e faʻatatau i le faʻavae masani o loʻo faʻaalia e se vaega masani. laina. E pei ona vaaia mai i tumutumu o auala, o le teteʻe atu i luga o le sticks na faʻateleina i proton e oʻo i le 1014 ma le 1016 cm-2: a o le proton e aunoa ma le proton o loʻo i ai e aunoa ma le proton. Sa matou faia foʻi prom implantsation pe a uma le faʻapitoa o PIN DOOODS e le o faʻaalia ni toniga o polofesa e mafua ona o suʻesuʻega s1 e pei ona faʻaalia i le ata muamua. O le mea lea, a feutanaʻi i le 1600 ° C pe a uma le oona o le auala talafeagai i le faʻauiga o mea e faʻagaioi ai, o loʻo faia ai le CVMNS Plactives, o loʻo faia ai le CVOCS Plactives, o loʻo faia ai le CTCCS Plantungation, lea e le o le CVMNS Placlen. O le Ressep o le taimi nei masani i -5 v e faʻaalia foi i le Ata S2, e leai se faʻailoga taua i le va o ni tuituo.
Volt-Ampere uiga o PIN DOODES MA LE MA LE FAAFETAI FAASINO I LE MALO LELEI. O le tala e taʻu mai ai le fua o proton.
Voltage taimi i le taimi nei --5 a / cm2 mo Pins Diodio ma tui ma e le o iai. O le togitogi laina e fetaui ma le tufatufaina masani tufatufaina.
I le Ata 3 o loʻo faʻaalia ai le el ata o le PIN DIODE ma se pito i ai nei o le 25 A / cm2 pe a maeʻa le voltage. Ae le i faia le uta o le na fafaga, o le pogisa itu o le diode e le o matauina, e pei ona faaalia i le Ata 3. C2. Peitai, e pei ona faaalia i le Ata. 3a, i le pine Diode e aunoa ma le prototon i luga, o nisi pogisa o itulagi o laina ma moli malamalama na maitauina pe a uma ona tusia se eletise eletise. O na rod-foliga lanu uliuli o loʻo maitauina i El ata mo le 1ssf faʻalautele mai le BPD i le mea e sui ai le28,29. Nai lo, o nisi o matata faatulagaina o mea lelei na matauina i pine niodio ma le totoina o propper, pei ona faaalia i le Ata 3b-d. Faʻaaogaina o le X-ray i luga, na matou faʻamaonia ai le iai o le PRS e mafai ona gaoioi mai le BPD i le tulaga o loʻo i le Prewodes e aunoa ma se vaega o le Eleni. are shown in Figures 1 and 2. Videos S3-S6 with and without extended dark areas (time-varying EL images of PiN diodes without proton injection and implanted at 1014 cm-2) are also shown in Supplementary Information .
El ata o le PIN DOODS I le 25 A / CM2 pe a uma le 2 itula o le eletise eletise (a) e aunoa ma prm-2, (P) 101 P) 101 P) 101 P) 101 P) 1014 CM-2
Sa matou fuafuaina le malosi o le faʻalauteleina o le 1ssf e ala i le fuafuaina o vaega pogisa ma lanu pupula i le tolu PIN nei, e pei ona faʻaoʻo mai le 112 CMS
Faʻateleina le Faʻateleina o SF PIN PINODS MA LE A LE A LE A LE PROTON ILOAʻI PE A LEʻI MA LE FAʻAPITOA MA LE NI FANAU (E aofia ai setete e toʻatolu utaina.
Faʻatomuina o le taʻavale maliu o loʻo aʻafia ai foʻi le faʻamalosiʻau, ma ua faʻaitiitia ai le tui faʻapitoa o le tagata iniseti. Ua matou matauina le tausiga o le ola i se vaega o le epitaxal o le 60 μm mafiafia ma tui protons o 1014 cm-2. Mai le muamua karitise olaga, e ui lava o le implant faaitiitia le taua i le ~ 10%, mulimuli ane toe faaleleia le toe faaleleia o le ~ 50%, pei ona faaalia i le Ata S7. O le mea lea, o le isi galuega, ua faaitiitia ona o le pstoton i le taotoga, ua toe fuataiina e le maualuga-vevela le atoatoa. E ui o le 50% le faʻaitiitia o le Courger O le olaga na faia foʻi le faʻataʻitaʻiga o le faʻaputuga o sese, o uiga, e masani ona faʻalagolago i le kapeti i le va o tui. O le mea lea, matou te talitonu o le PD Bevoring o loʻo avea ma matafaioi i le taofia 1SF e faʻalautele.
E ui lava e le i iloa e Sims Hydrogen ina ua maeʻa le soatau i le 1600 ° C, e pei ona lipotia mai i suʻesuʻega muamua, e pei ona ofi i lalo ole PRDROSF. e ala i le gau. E tatau ona maitauina tatou te leʻi faʻamaonia se siʻitia o loʻo i luga ole tulaga teteʻe ona o le tuʻufaʻatasia o le 1ssf ina ua maeʻa ona avega le taimi nei. E mafai ona mafua ona o le le atoatoa o le tatama o le tino lea na faia faʻaaoga ai le tatou faʻagaioiga, o le a aveʻesea i le lumanaʻi lata mai.
I le faaiuga, na matou atinaʻeina se auala mo le faʻalauteleina o le BPD i le 1SF i le 4h-SIC Pins Diding na faʻaaogaina muamua. O le leaga o le I-V O le uiga i le taimi o le proton implantine e le taua tele, aemaise i le proton e faia le 112 cm-2, ae o le faalauteleina o le 1ssf faalauteleina e taua. E ui o lenei suʻesuʻega na matou o mai le 10 μm Thomas Pins Diodis ma Proton i luga o le loloto o le 10 μm, e mafai lava ona sili atu le lelei o le 10h-sc masini. O isi tau mo le faʻatauga o masini i le taimi o proton ispintantation e tatau ona manatu, ae o le a tutusa lelei ma i latou mo gaioiga a le Almininum Ab. O lea, proton o loʻo i luga ae leʻi oʻo i le masini gaosi o se auala e mafai ai ona o le sili ona faʻamalosia le 4h-sic popolar mana eletise e aunoa ma le degeneration.
O le 4-inisi N-Type 4h-sic Walfer ma se Epitaxal vaega mafiafia o le 10 μm ma o se foaʻi o le 1 × 1016 cm-3 na faʻaaogaina o se faʻataʻitaʻiga. Ae le i faia le masini, H + ua totoina i totonu o le ipu ma se saoasaoa malosi o 0.95 Mev i le vevela o le 10 μm i se tulaga masani i le ipu. I le taimi o proton i le taotoga, o le ufimata i luga o se ipu na faʻaaogaina, ma o ipu sa i ai ni vaega e aunoa ma se manatu o le 1012, 1014 cm - 2. Ona, al o le pili ma Proton e oʻo i le 1020 ma 1017 CM-3 na totoina i luga o le le mautonu atoa i le sili atu i le 1600 ° μma. -To. Mulimuli ane, o le itu i tua o NI faʻafesoʻotaʻi na teuina i luga o le itu e sui ai le itu, a o le 2.0 mm × 2.0 MM o loʻo faʻapipiʻiina i luga o le Photasax4. Mulimuli ane, faʻafesoʻotaʻi le fesoʻotaʻiga o loʻo faia i le vevela o le 700 ° C. A maeʻa ona tipiina le le mautonu i Chips, na matou faia le faʻaosofia o le popole ma le talosaga.
O le I-V O uiga o le Fabricated Pin Diodes na maitauina le faʻaaogaina o se HP4155B Semictonductor producer. I le avea ai o se eletise eletise, o le 10-miniseccond toso i le taimi nei o le 212.5 A / CM2 na faʻalauiloaina mo le 2 itula i le taimi o le 10 toso. Ina ua matou filifilia se vaega pito i lalo o loʻo i lalo poʻo le taimi, matou te leʻi matauina le 1ssf faʻalauteleina e tusa lava pe o le Pinton tui. I le taimi o le faʻaaogaina o le eletise eletise, o le vevela o le pine dinde o le 70 ° C e aunoa ma le faʻamalieina o le faʻamafanafana, pei ona faʻaalia i le Ata S8. O le eletise eletise na mauaina muamua i luma ma le taimi o le eletise eletise i se taimi o loʻo i ai nei o le 25 A / cm2. Synchrotron Faʻafanua Grazeang Hisction X-Ray Topografi Faʻaaogaina o le Monochromatic X-Ray Beam (λ: O le DODE). ).
O le voltage masani i le taimi o le pito i luma o le 2.5 A / CM2 e aveʻeseina ma se vaitaimi o 0.5 V i le Fig 2 E tusa ma le CVC o setete taʻitasi o le PIN DIODE. Mai le uiga o le mamafa o le mamafa o le faʻamalosiʻau ma le tulaga masani σ o le popole, matou te faʻaaogaina se faʻasoasoaina o le tufatufaina curve curve i le ituaiga o le ata o le ata.
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Pese, H. & SODARSHAN, TS O le TH Ball Ship Sparing Remosation Lifes O le EPILAYER ARO / SUʻESUʻEGA AOFAIGA O LE 4 ° LICIC. Pese, H. & SODARSHAN, TS O le TH Ball Ship Sparing Remosation Lifes O le EPILAYER ARO / SUʻESUʻEGA AOFAIGA O LE 4 ° LICIC.Pese, H. Ma SDARISHAN, TSVERRATION O LE PRANCE O LE FAIGALUEGA O LE SULU O LE EPITAXALL SOVERY / SUʻESUʻEGA VAEGA O LE 4HPICY tuputupu ae o 4h-sic. Pese, H. & SDARATHA, TS 在 4 在 离轴 离轴 离轴 4h-SIC 外延生长中外延层 / 衬底界面附近的基底平面位错转换. Pese, H. & SDARISHAN, TS 在 4 ° 离轴 离轴 离轴-SIC Pese, H. & SDARISHAN, TSO le faʻafanua o le faʻaaogaina o le faʻaliliuga o le mea na tupu i le epitaxal vaega / suia le tuaoi i le taimi o le epitaxinal tuputupu aʻe o le 4h-sic i fafo atu o le 4 ° axis.J. Crystal. Tuputupu ae 371, 94-101 (2013).
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Taimi taimi: Nov-06-2022
