Merci fir d'mannst d'Natur.com ze besichen. D'Browserversioun Dir benotzt huet limitéiert CSS Support. Fir déi beschte Exilitéit, mir recommandéieren Iech en aktualiséiert Browser ze benotzen (oder ausgedeckte Kleedung an Internet Explorer. An der Tëschenzäit huet mir weider, ginn weider Ënnerstëtzung, maachen et de Site ouni Sitder an Javacript.
4h-Siic ass als Material fir d'Kraaft smizinistesche Geräter kommer Wéi laangberefleierszouer vu 4h-hellicatere ass en einfachen Ubidder, an déi wichtegst Schoulkierper Dës Degradatioun gëtt duerch en eenzege Schockley stacking Feeler (1ssf) Propagatioun vu Basal Fliger Dispolatiounen an 4h-sic Kristaller. Hei proposéiere mir eng Method fir d'Erweiderung vun 1ssfition duerch implantéierende Protonen op 4h-sic Epitaxial Wafers ze verdreiwen. Pin Dollades fabrizéiert op Wafers mat der Proton Implantatioun huet déi selwecht aktuell-Voltkarakteristik als Diözekredungen, déi ouni Protonimplantatioun hunn. Am Géigesaz, déi 1ssf Expansioun ass effektiv an der Proton-implantéiert Pin Diode gedréckt. Also, d'Implantatioun vu Protonen an 4h-sic Epitaxial Wafer ass eng effektiv Method fir de Bipolar Degradatioun vun 4h-sim-simanistiktoristics ze halen. Dëst Resultat bäidréit op d'Entwécklung vun héich zouverléissege 4h-siic Geräter.
Silicon Carbide (SIC) gëtt wäit unerkannt als Semikondantmaterial fir Héichkraaft, High-Frequenz Semikregante Geräter, déi an Harsh Ëmfeld ze bedreiwen. Et ginn vill poppypypen, ënnert deem 4h-hellent Organesch Ecke vum Eltektoresch Eegoresch Eegeschaften a staark ëmgewandelt méi ellen Elektrinkens ElecATron ". 4h-siic Wafers mat engem Duerchmiesser vu 6 Zoll kommerziell a benotzt fir Masseproduktioun vu Kraaftresident vum Poste smiconistor Apparater3. Traktiounssystemer fir elektresch Gefierer an Zich goufen fabrizéiert mat 4h-sic4.5 Malmesch Overiconistor Apparater. However, 4H-SiC devices still suffer from long-term reliability issues such as dielectric breakdown or short-circuit reliability,6,7 of which one of the most important reliability issues is bipolar degradation2,8,9,10,11. Dëse booplar Preddatioun gouf iwwer 20 Joer entdeckt an huet wonentlech e Problem am SICPIC-Formatioun.
Bipolar Degradatioun gëtt duerch en eenzege Schockley Stack Defekt (1h-sic-sics Kristaller mat Basal Fliger Dispolatiounen (BPDIDD) 1213.14.11.13.14.14 Dofir, wann BPD Expansioun u 1ssf verdrängt gëtt, 4h-sic Power Geräter kann ouni Braolar Degradatioun fabrizéiert ginn. Verschidde Methode goufen gemellt BPD Verbreedung ze verdrängen, sou wéi BPD fir Delader Dislocation (Ted) Transfokation Transformation vun 20.22.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.24.23. An der leschterer siesch Episod weltwäit, huet d'BPD präsent, déi virun allem am Gestallt gëtt wou se an der epaaschtlech Wuesstem gemaach ginn. Dofir sinn d'Riserwäit vu der Bioplaratioun Velaldatioun vu BPD an de GPRD 15.27. D'Fënster vun "Commonsdeelung (tëschent Quell vun elektréierte gouf fir BPIDRDDATER. D'Zuel vun der Zuel vun Elektron-Lach Puer op der Féierung vu Redg op de BPDD an der Substrat ze bpds, sou datt d'Kompositiounsstäerktsverfeierléisung dauert. Et ass botzen datt d'Zöregt e lay bei der Raumfeieren sech iwwerwaacht d'Liewensquartie ze reduzéieren. Dofir ass de nach ëmmer nach eng staark z'entwéckelen
Well Extensioun vum BPD op 1ssf brauche Bewegung vun deelweisen Dislokatiounen (PDS), PINSNING DEN PD ass eng verspësseg Approche fir Braolar-Degradatioun vum Bagolar. Och wann PD Pining duerch Metall Gëftstoffere goufe gemellt, fpds a 4h-sic substrater sinn op enger Distanz vu méi wéi 5 μM vun der Episodie. Just- ass well daalt Kantasrad fir d'Metaltung vun Imchstein, ass schwéier fir am Metreifraten, déi an de Foururatiounen an der Filialden benotzt ass. Wéinst der relativ grousser grouss atomescher Mass vu Metaller, Ionimplantatioun vun Metaller ass och schwéier. Am Géigesaz zum Fall vu Waasserstoff, déiwensten Element, ISen) kann inneroën a 4h-plamer vun méi wéi 4 Auer un engem Shätter ze benotzen, deen am 4h-classe Wäert gëtt. Dofir, wann d'Proton Implantatioun beaflosst de PD Pining, da kann et benotzt ginn fir BPD-Parzdatioun am Substrat ze verdrängen. Wéi och ëmmer, d'Proton Implantatioun kann 4h-sic a resultéieren a reduzéierter Apparat Performance37,38.39,40.
Den Antolinging Apparat ass méiglech ze iwwerwannen wéinst der Protonimentatioun, héich-temoresch Temperaturer an der FD ass net genuch ze reparéieren d'Pin ze detektéieren vum PR benotzt Sims. Dofir hëlt mir an der Etude eelblort op 4h-entdeckt Wampelie Prozess, och dorop am Minitichten. Mir hunn PIN Diode als experimentell Apparat Strukturen benotzt a se op Proton-splatcantéiert 4h-schical Wafers benotzt. Mir observéiert hunn d'Volt-Ampere Charakteristike beobachtet fir d'Degradatioun vum Geräter Leeschtung ze studéieren wéinst Proton Injektioun. Duerno beméien mir d'Expansioun vum Einzez Umlagau (El) Biller, nodeems Dir en elektresche Rotschléi gëllt. Déi viq Servicer hu mer trëtt den Effet vun der vipF-Aushuelung vun den Obesseschen Inspenzetzen.
Op Fig. Figur 1 weist den aktuellen Voltage Charakteristiken (CVCs) vu Pin-Diode bei Raumtemperatur an der Regioun mat an ouni Proton Implantantatioun virum Priefant. Zoufalls Diode mat Preton Zefriddenheet fir Dréiung vun Drien. Fir den Ënnerscheed tëscht den Injektiounsbedéngungen ze weisen, hu mir déi Voltfrequenz an enger Forward déi aktuell Dicht vun 2,5 A / cm2 geplënnert, als eng statistesch Verdeelung wéi an der Figur vun enger normaler Verdeelung vun der Niddreg Linn. Wéi kann aus de Peaks vun de Kéieren gesi ginn, ass d'On-Resistenz liicht op der Proton Dosen vun 1014 an 1016 cm-2 weist, wärend dem Pin Dose vun 1012 cmlantation. Mir hunn och Protonimplantatioun no der Struktur vun Pin Diaden gemaach déi net eenheetlech Elektroldrennungszwürzungen ausgedréckt wéinst Schueder verursaacht duerch Protonimplantation wéi am Figur S17,37,37,38,37,38,37,37. Dofir hunn d'Annealing um 1600 ° C nodeems Uriichtung vun den Uschloss vun den Ustouss géint den Apparat ze lucéierten Apparat reparéieren, wat zum Schued ka fleedlage maachen. Réckel-Instruktioune un der Institutoperfenz ass och an der Figebot presentéiert. Et gëtt kee groussen Ënnerscheed tëscht Därenenen mat an.
Volt-Ampre Charakteristike vu Pin Diosen mat an ouni injizéierter Protonen bei Raumtemperatur. D'Legend weist d'Dosis vu Protons.
Spannungsfrequenz beim direkten aktuellen 12.5 A / cm2 fir Pin Diode mat injizéierter an net-injizéierter Protonen. Déi gestéiert Linn entsprécht der normaler Verdeelung.
Op Fig. 3 weist en Elbild vum e Pin Diode mat enger aktueller Dicht vu 25 A / cm2 nom Spannung. Ier se déi aktuell aktuell Last benotzt, déi däischter Regioun vun den DIDE goufen net observéiert, wéi op Figur 3 gewisen. Wéi och ëmmer a Fig. 3A, an engem PINGEI Oder ouni Proteginstruktioun, méi dënn dausend geschriwwe ginn d'Regioune geruffe mat engem elekthenrocknuecht. Sou datt d'Rieder déi donkel d'Regiounen op Elfeegungen gesammelt fir 1SSP aus der BPD an der Bepatcoursen observéiert gëtt. Amplazall goufen a puer freaspsechende Feeler mat Implom gewollt, wéi op der Fig. Ugewellt ginn, wéi gewisen am Beräich} - D. Nëmmen X-Ray Protographie benotzt, hu mir net authneele fir d'Privatzester vun der BPLT an der Pfleegkeet. 4: E-Kontaktrdungen An de Figuren 1 an 2 gewisen. Videoen S3-S6 mat an ouni donkel Beräicher (Zäit-variéierend El Diöznatioun an der Erneierung.
EL Biller vu Pin Dioes am 25 a / cm2 no 2 Stonnen elektresche Stress (a) ouni Protonimplantatioun a mat implantéiert Dosen Dosen 1016 cm-216 cm.
Mir berechent d'Dicht vun der erweiderter Ausbrieche 1ssf duerch donkel Beräicher mat Hellege Kanten ze berechnen, déi an enger Däiwel vun der Reschter am Ausgrenz ass.
Halt d'Haftung vu SF Pin Diaces mat an ouni Protonimplantatioun nodeems Dir mat engem Pulsed Doraden gelueden hutt.
Kuerz d'Carrierer d'Liewensdauer beaflosst d'Ausgoverdeelung, a Projekturnurenne reduktioun déi d'Carrierime32,35 reduzéiert. Mir hunn Carrière Liewensdauer an enger Epitaxial Layer 60 μM déck mat injizéierter Protonen vun 1014 cm-2. Aus den initialen Träger Liewensdauer, och wann den Implantrêt de Wäert op ~ 10% reduzéiert, spéider Antienting ass et op ~ 50%, wéi an Fig. Dofir, Fongetengie wéinst der Promothéiéierung fir wéinst héijer Temperaturvenifing z'erreechen. Och wann eng 50% Reduktioun vum Carrier Liewen dréit d'Verbreedung vum stackeren Feeler, d'I-V Charakteristike, déi normalerweis ofhängeg vum Träger ënnerlänneschen ass, weisen an net méi uerdentlechen Ënnerbriechungen tëscht Indianer an net méi implizéierter Douchungen. Dofir gleewen mir datt Pd Adoking spillt eng Roll an der Tëschung Expansioun.
Och wann se Sims net detizéiert hunn (2 × 1000 ° C detizéiert, als a Virschinnen Studien. Implantatioun. Et sollt bemierkt ginn datt mir keng Erhéijung vun der In-Staat Resistenz net bestätegen wéinst der Erléisung vun 1ssf no enger Basisinformatioun. Dëst kann wéinst onmemekten Orencisst accemporéiert ginn, mat eisem Prozess mat engem anere Prozess ginn, wat an nächster Zukunft eliminéiert gëtt.
Mir hunn et an der Edmol, musse mir eng Spannschléi entwéckelt fir d'BPL ze besträifen de BPD op 1SD-sic PIN-Sicker Dotomatioun virum Apparat mat engem Patron Impropriatioun. D 'Graséierung vum I-V Charakteristik während Proteginatioun ass besonnesch himgument vum 10.12 cm-2, awer d'Effizoe vun 1012 cmespay ass. Och an dëser Etude hu mir 10 géint 3 um figi Décke mat Progropplantatioun op eng Déift vun 10 μlantiséiert, et ass ëmmer méiglech d'Implantatioun vun 4h-sicisiounen ze fabattiséieren. Zousätzlech Käschte fir Apparat Stratker wärend der Premier Implantentatioun soll ugesinn ginn, awer si wäerten ähnlech wéi Aluminium ion Inoniséierungsprozess. Sou, Proton Implantatioun virum Apparatveraarbechtung ass eng potenziell Method fir ze fabrizéieren 4h-sic bipolar Poschen Apparater ouni Degeneratioun.
E 4-Zoll N-Typ 4h-sic wahnall mat enger Epitaxial Schicht Dicke vun 10 μm an enger Spender Konzentratioun vun 1 × 101 cm-3 benotzt. Virun der Veraarbechtung vum Apparat, H + Iononen goufen an der Plack implantéiert mat enger Beschleunigermuecht vun 0,95 MEV bei Raumtemperatur op eng Déift. Während Presitesch asft e Mask vun engem Stroum benotzt, gemaach an an d'Poton mécht Iech mat engem Proton Dan-21 cm-2,00, oder 101100. Dann, al Ionen mat Proton Dosen vun 1020 an 1017 cm-3 goufen iwwer de ganze Wafer op eng Déift vun 0,2-0,5 μM.5 μM.5 μl. -ype. Duerno ginn eng Récksäit vun der Ni Kontakt op der Substrat Säit deposéiert, wärend engem 2.0 mm × 2.0 mm Kafe vun der Epitaxialde geprägt gouf. Vuetsdag huet Asekealdegkeet vun 75 drotifizéiert duerchgefouert. Nodeems Dir de Wafer an d'Chips ausgedeelt huet, hu mir Stress Charakteriséierung an Uwendung gemaach.
Den i-v Charakteristike vun de fabrizéierte PIN Diosen goufen an engem HP4155r Semicander Parameter-Analyser. Als elektresche Stress, en 10 Millisaturekäschte aktuelle vun 212.5 A / cm2 gouf fir 2 Stonnen an enger Frequenz vun 10 Pullen / sec. Wa mir eng ënnescht aktuell Dicht oder der Entféierung gewielt kënne ginn, hu mir net 1ssf Expansioun observéieren, och an engem Pinon Dioten. All exformell Spendage, ronnen Niveau vum Ärem Pinsel vu 70 ° N° Q ouni ze setzen, wéi Aarden S8. Electolumineszuele Biller goufen virun an no Elektesche Stress an enger aktueller Dicht vun 25 a / cm2 kritt. Synchrotron Iwwerleeung Wuelgewéckung vun der Inkon Ray Torographie benotzt eng monochromromatesch X-Ray Beam (λ = 0,15 NM). 4-288 ass den Ag ).
D'Spannungsfrequenz op enger Forward déi aktuell Dicht vun 2,5 A / cm2 extrahéiert ass mat engem Intervall vun 0,5 v an Fig. 2 No der CVC vun all Staat vum Pin Diode. Vum mëttleren Wäert vun der Stresspave an der Standarddeviatioun σ vum Stress, mir plangt eng normal Verdeelung Curve a Form vun enger desttealer Zeil an der Folgend Zeil.
Wirner, Här a blarer, op Material, Mikoponsons, Systemer an Apparater fir Héicht mat héijer Torrière. Wirner, Här a blarer, op Material, Mikoponsons, Systemer an Apparater fir Héicht mat héijer Torrière.Wirner, Här Asbner, wollte Mikhéik, Mat Materialien, Systemer an Apparater an Offallvermeidungen an enger Temperaturen an engem héijen Ëmfeld. Wernerens, Här an der W对用于高温和恶劣环境应用的材料, 微传感器, 系统和设备的评论. WERERER, M Här & RHREREN, RIKER MATERIALIONS, Systemer, Systemer an Apparater fir Héichperatur an niddregem Uwendungen.Wirner, Här, Här A Wannen, wäert Microsons vun Materialien, Systems an um Remennengéierungen a Hasamer vir.IEEEE Trans. Industriell Elektronik. 48, 249-257 (2001).
Kimoto, T. & Cooper, Jamstoders vu Silikon Karkbueden Technologie Fundament vun der Silicon Carbide Technologie: Charakteriséierung an Uwendung Kimoto, T. & Cooper, Jamstoders vu Silikon Karkbueden Technologie Fundament vun der Silicon Carbide Technologie: Charakteriséierung an UwendungKimoto, T. a Cooper, Ja Basics vu Silikon Carbide Technologie Basics Technics Technologie: Charakteristiken an Uwendungen Kimoto, T. & Coper, ja 碳化硅技术基础碳化硅技术基础: 增长, 表征, 设备和应用卷. Kimoto, T. & Cooper, Ja Kuel 化 Silicon Technologie Basbel Cabbon 化 Silicon Technologie: Beschreiwung: BeschreiwungKimooto, T. a Cooper, J. Basics vu Silikon Carbide Technologie Basics Technics Technologie: Ausränkungen, Equipementer, Ausrüstung, déi Voliste Volisti sinn.252 (Wiley Singapore pte ltd, 2014).
Veliadis, V. grouss Skala Kommerzuch vum SIC: Status Quo an Hindernisser ze iwwerwannen. alma Mater. D'Wëssen. Forts 1062, 125-130 (2022).
Broveon, J., Somet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Review vun der termescher Verpackung Technologien fir Automobilikiker fir Traktiounszwecker. Broveon, J., Somet, V., Tummala, RR & Joshi, YK Review vun der termescher Verpackung Technologien fir Automobilikiker fir Traktiounszwecker.Broppetton, J., Somet, V., Tummala, RR an Joshi, YK Iwwersiicht vun der termescher Verpackungskontrollen fir Automobiliséierung fir Traktiounszwecker. Broughaton, J., Somet, V., trummala, RR & Joshi, YK 用于牵引目的的汽车电力电子热封装技术的回顾. Broughon, J., Somet, V., Tummala, RR & JOSSHI, YKBroveon, J., Somet, V., Tummala, RR an Joshi, YK Iwwersiicht vun der Thermalpakologie fir ausserhalb Techniker fir Traktiounszwecker fir Traktiounszwecker.J. Elektron. Package. trennen. Asme 140, 1-11 (2018).
Sato, K., dem Kaot, H. & Fukushima, T. Entwécklung vum SIC ugewannten Traktiounssystem fir déi nächst Generatiounsspräis. Sato, K., dem Kaot, H. & Fukushima, T. Entwécklung vum SIC ugewannten Traktiounssystem fir déi nächst Generatiounsspräis.Sato K., KATTO H. A FUKUSIMA T. Entwécklung vun engem applizéierte Sic-Traktiounssystem fir déi nächst Generatioun Héichgeschwindegen Shinkansen Zich.Sato K., KATTO H. A FUKUSHIMA TRY TRACTIONANTION fir SIC Uwendungen fir déi nächst Generatioun Héichgeschwindegen Shinkansen Zich. Appendix Iej J. Ind 9, 453-459 (2020).
De Senzaki, J. Hayashi, S., YoneZawa, Y. & Okumura, H. Erausfuerderunge fir héich zouverléisseg Sic Power Apparater ze realiséieren: Vum aktuellen Zoustand. De Senzaki, J. Hayashi, S., YoneZawa, Y. & Okumura, H. Erausfuerderunge fir héich zouverléisseg Sic Power Apparater ze realiséieren: Vum aktuellen Zoustand.De Senzaki, J. Hayashi, S., YoneZawa, Y. an Okumura, H. Probleemer an der Ëmsetzung vun héich zouverléissege Sic Power Apparater: Start vun der aktueller Staatszoustand. De Senzaki, J., Hayashi, S., Yonezawa, Y. & Okumura, H. 实现高可靠性 Sic 功率器件的挑战: 从 Sic 晶圆的现状和问题来看. De Senzaki, de Hayashi, S., YoneZawa, Y. & Okumura, H. D 'Erausfuerderung vun héijer Erliefnes Erwäuschtung vun der SIM-Power Apparater: vu SIC 晶圆的电视和问题设计.Sennaki J, Hayashi s, Yonnaa y. an Okumura H. Erausfuerderungen an der Entwécklung vun der High-Zouverlässegkeetsverbraucher baséiert op Silizonkarbide: eng Iwwerpréifung vu Silizid Wafler.Am Joer 2018 IEEE International Symposium op Zouverlässegkeet Physik (Irpen). (Senzaki, J. Et ass al.) 3b.3.3b.3-6 (IEEEE, 2018).
Kim, D. & Sung, W. Verbesserung kuerz-Circuit Ruggedness fir 1,2kv 4h-sic Moosfet mat engem déiwe Pannung implementéiert ginn duerch Channling Implantatioun. Kim, D. & Sung, W. Verbesserung kuerz-Circuit Ruggedness fir 1,2kv 4h-sic Moosfet mat engem déiwe Pannung implementéiert ginn duerch Channling Implantatioun.Kiischt, hunn an gesont, déi kuerz-curcuit hiert-000-eigt e 1.2--HIC DERDRATIOUN mat der Kanalformatioun mat enger déiwer eis mat engem Affer ëmfaasst. Kim, D. & Sung, W. 使用通过沟道注入实现的深 p 阱提高了 1,2kv 4h-sic Mosfet 的短路耐用性. Kim, D. & Sung, w. p 阱提高了 1,2kv 4h-sic MoosfetKim, D. an ohser, Verbindent kuerzwäerteg Toleranz vun 1,2 kv-s-siclete mat déifem Pentlantatioun benotztIEEE Elektronesch Apparater Lidd. 42, 1822-185 (2021).
Sywowroni M. et al. Recombinatioun-verbessert Bewegung vu Mängel am Forward-pi-pi-sic pn Diosen. J. Uwendung. Physik. 92, Ech 4699-4704 (2002).
Ha, S., Miesekekowski, P., syowronski, M. & Rowland, lb Dislocation Konversioun a 4h Silizbide Epitaxy. Ha, S., Miesekekowski, P., syowronski, M. & Rowland, lb Dislocation Konversioun a 4h Silizbide Epitaxy.Ha s., meszkowki p., seckowronki M. an rowemand lb Dislocation Transformatioun während 4h Silizbide Epitaxy. Am S. S., de Mieszokowski, P., Skonowroni-säicken M. & Duebland, LB 4h 4h 碳化硅外延中的位错转换. Ha, s., miesezkowski, p., syowronski, M. & Rowland, lb 4h Ha, S., meszkowski, P., syowronsi, M. & Rowland, lbDislocation Transititioun 4h zu Silikon Carbide Epitaxy.J. Kristall. Wëlwe 424 274, 257-266 (2002).
Syowrononsi, M. & Ha, S. Degradatioun vu Hexagonal Silicon-Carbide-baséiert BPOLARIKER. Syowrononsi, M. & Ha, S. Degradatioun vu Hexagonal Silicon-Carbide-baséiert BPOLARIKER.Skowronanski M. an ha. Dolagdatioun vun Hexagonal bipolar Geräter baséiert op Silizechtskarbid. Syowrononsi, M. & Ha, S. 六方碳化硅基双极器件的降解. Syowrononski M. & ha S.Skowronanski M. an ha. Dolagdatioun vun Hexagonal bipolar Geräter baséiert op Silizechtskarbid.J. Uwendung. Physik 99, 011101 (2006).
Agarwal, A., Fatima, H., Hane, S. & ryu, s.-h. Agarwal, A., Fatima, H., Hane, S. & ryu, s.-h.Agarwala A., Fatima H., Helini. a Ryu S.-h. Agarwal, A., Fatima, H., Hane, S. & ryu, s.-h. Agarwal, A., Fatima, H., Hane, S. & ryu, s.-h.Agarwala A., Fatima H., Helini. a Ryu S.-h.En neie Degradatioun Mechanismus fir Héichspannung SIK Muechtmuecht Mosfekt. IEEE Elektronesch Apparater Lidd. 28, 587-589 (2007).
Calwwell, JD, Stahlbush, Ancona, ancm², oj & Hobart, kafe fir Erböhung vu 4h Calwwell, JD, Stahlbush, Ancona, ancm², oj & Hobart, kafe fir Erböhung vu 4hD'Calmwwuel, Jd, Stalkh, Vollo, SG, GGEMBI an 4h-Sold, kC, a Hobbitioun, Klabilioun vu Reaktioun op 4h-SKART. Calwwell, JD, Stahbush, An Dercna, MG, GLMBOCKOCKO, OJ & HOBART, MBI-SBART 中复合引起的层错运动的驱动力. Caldwell, JD, Stahlbush, Recona, mg, ggmbocki, oj & Hobart, kdD'Progojuur, de JD, Stalskur, MGL, MG, GGBBINI, Habe vun der Rabbéierung, déi fannt sech op Restauranten, op der Réckkraaftbroch an 4h -t?J. Uwendung. Physik. 108, 044503 (2010).
IIjima, A. & Kimoto, T. Elektronesch Energiemodell fir Singcky Shockley Stacking Fault-Bildung an 4h-sic Kristaller. IIjima, A. & Kimoto, T. Elektronesch Energiemodell fir Singcky Shockley Stacking Fault-Bildung an 4h-sic Kristaller.Echjima, A. a Kimoto, T. Electron-Energymodell vun den eenzegen Mängel vum Shockley Plocking am 4h-sic Kristaller. IIjima, A. & Kimoto, T. 4h-sic 晶体中单 Shockley 堆垛层错形成的电子能量模型. IIjima, A. & Kimoto, T. Elektronesch Energiemodell vun der eenzeger Shockley stacking Fault-Bildung an 4h-sic Kristall.Echjima, A. a Kimoto, den Electron-Energymodell vun der Formatiouns-Formation vun engem eenzegen Defekten-Shockley Plocking an 4h-sic Kristaller.J. Uwendung. Physik 126, 105703 (2019).
IIjima, A. & Kimoto, T. Schätzung vun der kritescher Konditioun fir Expansioun / Kontraktioun vun engem eenzege Shockley ställe Feeler am 4h-siceshäst. IIjima, A. & Kimoto, T. Schätzung vun der kritescher Konditioun fir Expansioun / Kontraktioun vun engem eenzege Shockley ställe Feeler am 4h-siceshäst.IIjima, A. a Kimoto, T. Schätzung vum kritesche Staat fir Expansioun / Kompressioun vun eenzelen Shockele Verdréckten Mängel am 4h-sicaden. IIjima, A. & Kimoto, T. 估计 4h-Sic Pin 二极管中单个 Shockley 堆垛层错膨胀 / 收缩的临界条件. IIjima, A. & Kimoto, T. Schätzung vun der eenzeger Shockley stacking Schichten Expansioun / Kontraktiounsbedéngungen a 4h-sices Diaden.IIjima, A. an Kimoto, T. Schätzung vun de kritesche Konditiounen fir Erweiderung / Kompressioun vun engem eenzege Defekten Shocksy Shockley an 4h-sic-Diktodien.Applikatioun Physici Wright. 116, 092105 (2020).
Mënschen, Y., Shiimada, K., asada, K. & Othani, N. Quantum Scoric fir d'Bildung vun engem eenzege Kristaller. Mënschen, Y., Shiimada, K., asada, K. & Othani, N. Quantum Scoric fir d'Bildung vun engem eenzege Kristaller.Mannen Y., Shischada K., asada K., an Otani N. E Quantelmodell fir d'Bildung vun engem eenzegen Shockley ställe verstoppt.Mannen Y., Shischada K., asada K. an Otani n. Quantum bemierkenswäert fir d'Bildung vun der eenzeger Shockley Strecken an 4h-sikilbriums. J. Uwendung. Physik. 125, 085705 (2019).
Galeeckas, A., Linnnos, J. & Pirouz, P. Recombrice-induzéiert stacking Feeler: Beweiser fir en allgemenge Mechanismus an Hexagonismus. Galeeckas, A., Linnnos, J. & Pirouz, P. Recombrice-induzéiert stacking Feeler: Beweiser fir en allgemenge Mechanismus an Hexagonismus.Galeockas, A., Linnnos, J. an Pirouz, P. Erhuelung-inducced Packing Verdacht: Beweiser fir hexagonalesch. Galeckas, A., Linnos, J. & Pirouz, P. 复合诱导的堆垛层错: 六方 Sic 中 般机制的证据 般机制的证据. Galeckas, A., Linenos, J. & Pirouz, P. Beweiser fir de Generaleurschnouer vun Ufank vun Zesummefegikien stabilitéite Schafe gespäichert:Galeockas, A., Linnnos, J. an Pirouz, P. Erhuelung-inducced Packing Verdacht: Beweiser fir hexagonalesch.Physik Pastor Wright. 96, 025502 (2006).
Ishikawa, Y., sudo, jo, Y.-z., sennwara, Y. & Kato, M. Topazitéit vun enger eenzeger Shockley stacking Fault an engem 4h-sipraderière duerch ElektraalIshikawa, Y., M. sudo, y.-Z beam Bestraffer.Ishikawa, Y., sudo M., y.-Z Psychologie.Këscht, ю., м. Суудо, y.-Z Chem., J. Chem., 123, 225101 (2018).
Dem Kato, M., Filahraa, Samschter, ët, Haamada, Saaadle-Sime-Slockcours an der Trungssuppler an enger deelweis Diszokollung an engem deelweis Diszokollung a Partn. Dem Kato, M., Filahraa, Samschter, ët, Haamada, Saaadle-Sime-Slockcours an der Trungssuppler an enger deelweis Diszokollung an engem deelweis Diszokollung a Partn.KaTo M., Kathaa S., Iikawa Y., Harada S. an Kimoto T. Observatioun vun der Carrière Rekominatioun an eenzeg Shockley Packen an der Partie Disco. Dem Katto, Mio De S., S., ët, i. Den Kao, Mäin Nilahraa, S., Istikaura, Y. Minutt Kameraden, Simooto, T和 和 和 单 单 Z. 单 单 单 Z. 单 单 单 Z. 单 单 单 Z. 单 单 单 单 Z. 单 单 单 单 Z. 单 单 单 Z. 单 4H-SK-SK-SK-SCHAFFTPING G. EV-SCHAFFTPT GHAMO, Simo, Haro, Harada, Yamada, Sima, Simoato, TV-SH!KaTo M., Kathaa S., Iikawa Y., Harada S. an Kimoto T. Observatioun vun der Carrière Rekominatioun an eenzeg Shockley Packen an der Partie Disco.J. Uwendung. Physics 124, 095702 (2018).
Kimoto, T. & Watanabe, H. Defekt Ingenieur an der Sic Technologie fir Héichspannungspiller Apparater. Kimoto, T. & Watanabe, H. Defekt Ingenieur an der Sic Technologie fir Héichspannungspiller Apparater.Kimoto, T. an Watanabe, H. Entwécklung vu Mängel an der Sic Technologie fir Héichspannungspiller. Kimoto, T. & Watanabe, h. 用于高压功率器件的 Sic 技术中的缺陷工程. Kimoto, T. & Watanabe, H. Defekt Ingenieur an der Sic Technologie fir Héichspannungspiller Apparater.Kimoto, T. an Watanabe, H. Entwécklung vu Mängel an der Sic Technologie fir Héichspannungspiller.Applikatioun Physik Express 13, 120101 (2020).
Zhang, Z. & Sudarshan, ts Basal Fliger Dislokatiounsfräi Epitaxy vum Silicon Carbide. Zhang, Z. & Sudarshan, ts Basal Fliger Dislokatiounsfräi Epitaxy vum Silicon Carbide.Zhang z. a Sudarshan Ts Dislocation-gratis Epitaxy vum Silicon Carbide am Basal Fliger. Zhang, Z. & Sudarshan, Ts 碳化硅基面无位错外延. Zhang, Z. & Sudarshan, TsZhang z. a Sudarsharhan Ts Dislocation-gratis Epitaxy vu Silikon Carbide Basges Fliger.Ausso. Physik. Wright. 87, 151913 (2005).
Zhang, Z., Molton, E. & Sudarhan, ts Mechanismus fir Basal Fligeren an der Send dënnem Filmer vun engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy. Zhang, Z., Molton, E. & Sudarhan, ts Mechanismus fir Basal Fligeren an der Send dënnem Filmer vun engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy op engem etcaxy.Zhang Z., Muppon E. a Sudarhan Ts Mechanismus vun der Eliminatioun vun der Basissplatiks Dislokatiounen an der sik dënnem Filmer op eitchized. Zhang, Z., Muppon, E. & Sudarhan, Ts 通过在蚀刻衬底上外延消除 Sic 薄膜中基面位错的机制. Zhang, Z., Molton, E. & Sudayhan, ts de Mechanismus vun der Eliminatioun vu sic dënnem Film andeems Dir de Substrement vun der Etude.Zhang Z., Muppon E. a Sudarshan Ts Mechanismus vun der Eliminatioun vun der Basisplatcloratiounen an der sic dënnem Filmer vun der Etikaxy op der Etapper.Applikatioun Physici Wright. 89, 081910 (2006).
Shtalbush rel et al. Wuesse Ënnerbriechung féiert zu enger Ofsenkung an de Basal Fligerdispolatioune wärend 4h-sic Epitaxy. Ausso. Physik. Wright. 94, 041916 (2009).
Zhang, X. & Tsuchida, H. Konversioun vum Basal Fliger Dislokatiounen fir Dislokatiounen an 4h-sic Epilayers duerch héich Temperaturen. Zhang, X. & Tsuchida, H. Konversioun vum Basal Fliger Dislokatiounen fir Dislokatiounen an 4h-sic Epilayers duerch héich Temperaturen.Zhang, X. an Tsuchida, H. Transformatioun vu Basal Fliger Dislokatiounen an der thread Dislokatiounen an 4h-sic Epitaxial Schichten duerch héich Temperaturen. Zhang, X. & Tsuchida, H. 通过高温退火将 4h-sic 外延层中的基面位错转化为螺纹刃位错. Zhang, x. & Tsuchida, h. 通过高温退火将 4h-sicZhang, X. An Tsuchida, H. Transformatioun vu Base Fliger Dislokatiounen a Filamentkarden Dislokatiounen an 4h-sikitaxibelle Schichten duerch Héichtemperaturen.J. Uwendung. Physik. 111, 12352 (2012).
Song, H. & Sudarsharhan, ts Basal Fliger Konversioun no beim Epilayer / substrat Interface an der Philaxial Wuesstum 4h-°. Song, H. & Sudarsharhan, ts Basal Fliger Konversioun no beim Epilayer / substrat Interface an der Philaxial Wuesstum 4h-°.Song, H. A Sudararhan, Ts Transformatioun vu Basal Fliger Dislokikatiounen no der Epitaxial Schicht / Substrat Interface wärend engem Axis epizuse Wuesstum Song, H. & Sudarsharhan, Ts 在 4 ° 离轴 4h-sic 外延生长中外延层 / 衬底界面附近的基底平面位错转换. Song, H. & Sudarshan, Ts 在 4 ° 离轴 4h-sic Song, H. & Sudarshan, TsPlanar Dationéierungszentre Perentitioun vum Substrat no bei der Epitaxial Schicht / Substitéit Grenzen während der soxaxéiewermung vu 4h-° bausse baussen.J. Kristall. Wuesstem 371, 94-101 (2013).
Konishi, K. et al. Op der héijer aktueller, d'Papagatioun vum Basal Fliplack stacking Stacking Fault an 4h-sic Epitaxial Schichtungen transforméiert. J. Uwendung. Physik. 114, 014504 (2013).
Konishi, K. et al. Designt Epitaxial Schichten fir bipolar net-degradéierbar Sic Westfets andeems Dir verlängert Erstaunen Nualiséierungssäiten an der operationaler X-Ray Athografiker sinn. Aip Advanced 12, 035310 (2022).
Lin, S. et al. Afloss vun der Basal Fliger Dislocation Struktur op der Propagatioun vun engem eenzege Shockley-Typ Stacking Fault beim Forward Thile vun 4h-Sices Diaden. Japan. J. Uwendung. Physik. 57, 04FR07 (2018).
Tarara, T., et al. Déi kuerz Minoritéit Carrier Longetime zu Niter-räich 4h Epilayers gëtt benotzt fir ze verdéiwen oder Dämpfe. J. Uwendung. Physik. 120, 115101 (2016).
Tarara, T. et al. Injizéiert Carrière Konzentratioun Ofhängegkeet vun der eenzeger Shockley stacking Fault Verbreedung am 4h-sic Pin Diode. J. Uwendung. Physics 123, 025707 (2018).
Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kaot, M. Microskopic FCA System fir Déift-geléist Carrière schi Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kaot, M. Microskopic FCA System fir Déift-geléist Carrière schiMei, S., Tawara, T., Tsuchida, H. an de Kaot, M. FCA Microskopic System fir Déift-geléist Carrière schliisslech Miessunge beim Silizitime. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kaot, M. 用于 Sic 中深度分辨载流子寿命测量的显微 中深度分辨载流子寿命测量的显微 系统 系统. Mae, S., Tawara, T., Tsuchida, H. & Kaot, M. fir siesch mëttelgrouss-Déift 分辨载流子 Lifetime Mätscher 的月微 FCCA.Mei S., Tawara T., Tsuchida H. a Kato M. Micro-FCA System fir Déift-geléist Carrierdime Ligenmiessungen zu Silizonkide.ALMA MATERIM Science Forum 924, 269-272 (2018).
Heryaa, t. et al. D'Déift Verdeelung vun der Carrier Liewensdauer an décke 4h-sic Epitaxial Schichten déi net destruktiv gemooss ginn ass déi Zäit Resolutioun vu gratis Carrier vun der fräier Carrier an duerchgräifender Ariichtung. Wiesselt op d'Wëssenschaft. Meste. 91, 123902 (2020).
Postzäit: NOV-06-2022
